6 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Diode Type Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If Current - Reverse Leakage @ Vr Diode Configuration Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) Current - Average Rectified (Io) (per Diode) Speed Operating Temperature - Junction
MBRTA500200R
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,267
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3TOWER - Active Bulk Chassis Mount Three Tower Three Tower Schottky 920mV @ 250A 4mA @ 200V 1 Pair Common Anode 200V 250A Fast Recovery = 200mA (Io) -55°C ~ 150°C
MBRTA500200
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
872
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3TOWER - Active Bulk Chassis Mount Three Tower Three Tower Schottky 920mV @ 250A 4mA @ 200V 1 Pair Common Cathode 200V 250A Fast Recovery = 200mA (Io) -55°C ~ 150°C
DSA240X200NA
За единицу
$22.50
RFQ
1,954
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
IXYS DIODE MODULE 200V 120A SOT227B - Active Tube Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B Schottky 1V @ 120A 4mA @ 200V 2 Independent 200V 120A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) -
DSS2X101-02A
За единицу
$21.85
RFQ
1,217
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
IXYS DIODE MODULE 200V 100A SOT227B - Active Tube Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B Schottky 940mV @ 100A 4mA @ 200V 2 Independent 200V 100A Fast Recovery = 200mA (Io) -
MBRTA600200R
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,265
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3TOWER - Active Bulk Chassis Mount Three Tower Three Tower Schottky 920mV @ 300A 4mA @ 200V 1 Pair Common Anode 200V 300A Fast Recovery = 200mA (Io) -55°C ~ 150°C
MBRTA600200
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,695
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3TOWER - Active Bulk Chassis Mount Three Tower Three Tower Schottky 920mV @ 300A 4mA @ 200V 1 Pair Common Cathode 200V 300A Fast Recovery = 200mA (Io) -55°C ~ 150°C