- Производство :
- Diode Type :
- Current - Average Rectified (Io) :
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- Operating Temperature - Junction :
- Capacitance @ Vr, F :
- Прикладные фильтры :
4 продукты
ОБРАЗ | ЧАСТЬ №. | ЦЕНА | КОЛИЧЕСТВО | АКЦИИ | ПРОИЗВОДСТВО | ОПИСАНИЕ | Series | Part Status | Packaging | Mounting Type | Package / Case | Supplier Device Package | Diode Type | Current - Average Rectified (Io) | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | Current - Reverse Leakage @ Vr | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | Speed | Reverse Recovery Time (trr) | Operating Temperature - Junction | Capacitance @ Vr, F | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
3,961
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA | - | Active | Digi-Reel® | Surface Mount | DO-214AA, SMB | DO-214AA | Schottky | 1A | 550mV @ 1A | 1mA @ 40V | 40V | Fast Recovery = 200mA (Io) | - | -55°C ~ 150°C | - | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
2,202
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA | - | Active | Digi-Reel® | Surface Mount | DO-214AA, SMB | DO-214AA | Silicon Carbide Schottky | 2A (DC) | 1.8V @ 1A | 50µA @ 1200V | 1200V | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0ns | -55°C ~ 175°C | 131pF @ 1V, 1MHz | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
3,834
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | - | Active | Digi-Reel® | Surface Mount | DO-214AA, SMB | DO-214AA | Silicon Carbide Schottky | 1A (DC) | 2V @ 1A | 10µA @ 6.5V | 650V | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0ns | -55°C ~ 175°C | 76pF @ 1V, 1MHz | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
1,882
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 | - | Active | Digi-Reel® | Surface Mount | DO-214AA, SMB | DO-214AA | Silicon Carbide Schottky | 300mA (DC) | 2.2V @ 300mA | 10µA @ 3300V | 3300V | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0ns | -55°C ~ 175°C | 42pF @ 1V, 1MHz |
Страница 1 / 1