3 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
PMDPB56XN,115
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,210
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 - Obsolete Digi-Reel® -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 510mW DFN2020-6 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 3.1A 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 2.9nC @ 4.5V 170pF @ 15V
PMDPB56XN,115
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
953
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 - Obsolete Cut Tape (CT) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 510mW DFN2020-6 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 3.1A 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 2.9nC @ 4.5V 170pF @ 15V
PMDPB56XN,115
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,035
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 - Obsolete Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 510mW DFN2020-6 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 3.1A 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 2.9nC @ 4.5V 170pF @ 15V