5 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
AUIRF9952Q
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,293
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO HEXFET® Obsolete Tube -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 2W 8-SO N and P-Channel Logic Level Gate 30V 3.5A, 2.3A 100 mOhm @ 2.2A, 10V 3V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V
IRF9956PBF
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
958
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC HEXFET® Discontinued at Digi-Key Tube -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 2W 8-SO 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 3.5A 100 mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V
IRF9952PBF
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,897
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC HEXFET® Discontinued at Digi-Key Tube -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 2W 8-SO N and P-Channel Logic Level Gate 30V 3.5A, 2.3A 100 mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V
IRF9956
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,870
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Tube -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 2W 8-SO 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 3.5A 100 mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V
IRF9952
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,698
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC HEXFET® Obsolete Tube -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 2W 8-SO N and P-Channel Logic Level Gate 30V 3.5A, 2.3A 100 mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V