3 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
BSZ0902NSIATMA1
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,928
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8-FL 2.5W (Ta), 48W (Tc) N-Channel - 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.8 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 24nC @ 10V 1500pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSZ0902NSIATMA1
За единицу
$1.13
RFQ
3,146
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8-FL 2.5W (Ta), 48W (Tc) N-Channel - 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.8 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 24nC @ 10V 1500pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSZ0902NSIATMA1
За единицу
$0.41
RFQ
627
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8-FL 2.5W (Ta), 48W (Tc) N-Channel - 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.8 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 24nC @ 10V 1500pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V