4 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
IRLR6225PBF
За единицу
$0.56
RFQ
3,102
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 100A DPAK HEXFET® Not For New Designs Tube MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 63W (Tc) N-Channel - 20V 100A (Tc) 4 mOhm @ 21A, 4.5V 1.1V @ 50µA 72nC @ 4.5V 3770pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
IRLR6225TRPBF
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,535
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 100A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 63W (Tc) N-Channel - 20V 100A (Tc) 4 mOhm @ 21A, 4.5V 1.1V @ 50µA 72nC @ 4.5V 3770pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
IRLR6225TRPBF
За единицу
$1.05
RFQ
1,234
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 100A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 63W (Tc) N-Channel - 20V 100A (Tc) 4 mOhm @ 21A, 4.5V 1.1V @ 50µA 72nC @ 4.5V 3770pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
IRLR6225TRPBF
За единицу
$0.40
RFQ
2,479
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 100A DPAK HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 63W (Tc) N-Channel - 20V 100A (Tc) 4 mOhm @ 21A, 4.5V 1.1V @ 50µA 72nC @ 4.5V 3770pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V