4 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
IRF9Z24NSTRLPBF
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,455
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.8W (Ta), 45W (Tc) P-Channel - 55V 12A (Tc) 175 mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V 350pF @ 25V 10V ±20V
IRF9Z24NSTRLPBF
За единицу
$1.50
RFQ
836
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.8W (Ta), 45W (Tc) P-Channel - 55V 12A (Tc) 175 mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V 350pF @ 25V 10V ±20V
IRF9Z24NSTRLPBF
За единицу
$0.69
RFQ
3,148
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.8W (Ta), 45W (Tc) P-Channel - 55V 12A (Tc) 175 mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V 350pF @ 25V 10V ±20V
IRF9Z24NPBF
За единицу
$1.46
RFQ
3,963
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 45W (Tc) P-Channel - 55V 12A (Tc) 175 mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V 350pF @ 25V 10V ±20V