4 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
IPB110N20N3LFATMA1
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,297
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 200 D2PAK-3 OptiMOS™ 3 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3 250W (Tc) N-Channel - 200V 88A (Tc) 11 mOhm @ 88A, 10V 4.2V @ 260µA 76nC @ 10V 650pF @ 100V 10V ±20V
IPB110N20N3LFATMA1
За единицу
$7.16
RFQ
2,246
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 200 D2PAK-3 OptiMOS™ 3 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3 250W (Tc) N-Channel - 200V 88A (Tc) 11 mOhm @ 88A, 10V 4.2V @ 260µA 76nC @ 10V 650pF @ 100V 10V ±20V
IPB110N20N3LFATMA1
За единицу
$3.75
RFQ
2,778
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 200 D2PAK-3 OptiMOS™ 3 Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3 250W (Tc) N-Channel - 200V 88A (Tc) 11 mOhm @ 88A, 10V 4.2V @ 260µA 76nC @ 10V 650pF @ 100V 10V ±20V
IXTA110N055P
За единицу
$2.88
RFQ
3,382
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
IXYS MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 PolarHT™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (IXTA) 390W (Tc) N-Channel - 55V 110A (Tc) 13.5 mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 250µA 76nC @ 10V 2210pF @ 25V 10V ±20V