4 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
IPB110N20N3LFATMA1
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,297
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 200 D2PAK-3 OptiMOS™ 3 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3 250W (Tc) N-Channel 200V 88A (Tc) 11 mOhm @ 88A, 10V 4.2V @ 260µA 76nC @ 10V 650pF @ 100V 10V ±20V
IPB110N20N3LFATMA1
За единицу
$7.16
RFQ
2,246
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 200 D2PAK-3 OptiMOS™ 3 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3 250W (Tc) N-Channel 200V 88A (Tc) 11 mOhm @ 88A, 10V 4.2V @ 260µA 76nC @ 10V 650pF @ 100V 10V ±20V
IPB110N20N3LFATMA1
За единицу
$3.75
RFQ
2,778
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 200 D2PAK-3 OptiMOS™ 3 Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3 250W (Tc) N-Channel 200V 88A (Tc) 11 mOhm @ 88A, 10V 4.2V @ 260µA 76nC @ 10V 650pF @ 100V 10V ±20V
SIHG20N50C-E3
За единицу
$3.15
RFQ
3,545
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 20A TO247 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 250W (Tc) N-Channel 500V 20A (Tc) 270 mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 76nC @ 10V 2942pF @ 25V 10V ±30V