7 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
IRFI9Z34N
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,110
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 14A TO-220FP HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) - Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220AB Full-Pak 37W (Tc) P-Channel - 55V 14A (Tc) 100 mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 35nC @ 10V 620pF @ 25V 10V ±20V
IRF9Z34NSTRR
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,248
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.8W (Ta), 68W (Tc) P-Channel - 55V 19A (Tc) 100 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35nC @ 10V 620pF @ 25V 10V ±20V
IRF9Z34NL
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,260
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 19A TO-262 HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262 3.8W (Ta), 68W (Tc) P-Channel - 55V 19A (Tc) 100 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35nC @ 10V 620pF @ 25V 10V ±20V
IRFL4105
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,080
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1W (Ta) N-Channel - 55V 3.7A (Ta) 45 mOhm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 35nC @ 10V 660pF @ 25V 10V ±20V
IRFL4105TR
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,287
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1W (Ta) N-Channel - 55V 3.7A (Ta) 45 mOhm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 35nC @ 10V 660pF @ 25V 10V ±20V
IRFL4105TR
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
931
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1W (Ta) N-Channel - 55V 3.7A (Ta) 45 mOhm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 35nC @ 10V 660pF @ 25V 10V ±20V
IRF9Z34NLPBF
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,310
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 19A TO-262 HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262 3.8W (Ta), 68W (Tc) P-Channel - 55V 19A (Tc) 100 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35nC @ 10V 620pF @ 25V 10V ±20V