7 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
IPB80N06S2L-H5
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,658
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 300W (Tc) N-Channel - 55V 80A (Tc) 4.7 mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 190nC @ 10V 5000pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IRL2505STRRPBF
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,762
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.8W (Ta), 200W (Tc) N-Channel - 55V 104A (Tc) 8 mOhm @ 54A, 10V 2V @ 250µA 130nC @ 5V 5000pF @ 25V 4V, 10V ±16V
IRL2505L
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,991
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 104A TO-262 HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262 3.8W (Ta), 200W (Tc) N-Channel - 55V 104A (Tc) 8 mOhm @ 54A, 10V 2V @ 250µA 130nC @ 5V 5000pF @ 25V 4V, 10V ±16V
IRLI2505
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,449
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220AB Full-Pak 63W (Tc) N-Channel - 55V 58A (Tc) 8 mOhm @ 31A, 10V 2V @ 250µA 130nC @ 5V 5000pF @ 25V 4V, 10V ±16V
IRL2505S
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,916
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.8W (Ta), 200W (Tc) N-Channel - 55V 104A (Tc) 8 mOhm @ 54A, 10V 2V @ 250µA 130nC @ 5V 5000pF @ 25V 4V, 10V ±16V
IRL2505STRR
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,357
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.8W (Ta), 200W (Tc) N-Channel - 55V 104A (Tc) 8 mOhm @ 54A, 10V 2V @ 250µA 130nC @ 5V 5000pF @ 25V 4V, 10V ±16V
IRL2505STRL
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,683
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.8W (Ta), 200W (Tc) N-Channel - 55V 104A (Tc) 8 mOhm @ 54A, 10V 2V @ 250µA 130nC @ 5V 5000pF @ 25V 4V, 10V ±16V