3 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
IXTF280N055T
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,582
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
IXYS MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4 TrenchMV™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole i4-Pac™-5 ISOPLUS i4-PAC™ 200W (Tc) N-Channel 55V 160A (Tc) 4 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 200nC @ 10V 9800pF @ 25V 10V ±20V
Default Photo
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
860
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
IXYS MOSFET N-CH 55V 150A I4-PAC-5 - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole i4-Pac™-5 ISOPLUS i4-PAC™ - N-Channel 55V 150A (Tc) 4.9 mOhm @ 110A, 10V 4V @ 1mA 86nC @ 10V - 10V ±20V
Default Photo
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,979
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
IXYS MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole i4-Pac™-5 ISOPLUS i4-PAC™ - N-Channel 55V 100A (Tc) 7.2 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V - 10V ±20V