10 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
IPP100N06S3L-04
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,205
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 OptiMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO220-3-1 214W (Tc) N-Channel - 55V 100A (Tc) 3.8 mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 150µA 362nC @ 10V 17270pF @ 25V 5V, 10V ±16V
IPP100N06S3-04
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,870
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 OptiMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO220-3-1 214W (Tc) N-Channel - 55V 100A (Tc) 4.4 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 150µA 314nC @ 10V 14230pF @ 25V 10V ±20V
IPI100N06S3-04
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,552
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 OptiMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA PG-TO262-3 214W (Tc) N-Channel - 55V 100A (Tc) 4.4 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 150µA 314nC @ 10V 14230pF @ 25V 10V ±20V
IPB100N06S3L-04
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
639
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 214W (Tc) N-Channel - 55V 100A (Tc) 3.5 mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 150µA 362nC @ 10V 17270pF @ 25V 5V, 10V ±16V
IPB100N06S3L-04
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,992
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 214W (Tc) N-Channel - 55V 100A (Tc) 3.5 mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 150µA 362nC @ 10V 17270pF @ 25V 5V, 10V ±16V
IPB100N06S3L-04
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,979
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 214W (Tc) N-Channel - 55V 100A (Tc) 3.5 mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 150µA 362nC @ 10V 17270pF @ 25V 5V, 10V ±16V
IPB100N06S3-04
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,658
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 214W (Tc) N-Channel - 55V 100A (Tc) 4.1 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 150µA 314nC @ 10V 14230pF @ 25V 10V ±20V
IPB100N06S3-04
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,387
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 214W (Tc) N-Channel - 55V 100A (Tc) 4.1 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 150µA 314nC @ 10V 14230pF @ 25V 10V ±20V
IPB100N06S3-04
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,576
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 214W (Tc) N-Channel - 55V 100A (Tc) 4.1 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 150µA 314nC @ 10V 14230pF @ 25V 10V ±20V
IPI100N06S3L04XK
За единицу
$2.43
RFQ
826
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 OptiMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA PG-TO262-3 214W (Tc) N-Channel - 55V 100A (Tc) 3.8 mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 150µA 362nC @ 10V 17270pF @ 25V 5V, 10V ±16V