3 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
PHB11N06LT,118
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,882
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
NXP USA Inc. MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK TrenchMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 33W (Tc) N-Channel - 55V 10.3A (Tc) 130 mOhm @ 5.5A, 10V 2V @ 1mA 5.2nC @ 5V 330pF @ 25V 5V, 10V ±15V
IRLIB9343
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,395
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220AB Full-Pak 33W (Tc) P-Channel - 55V 14A (Tc) 105 mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 47nC @ 10V 660pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
IRLIB9343PBF
За единицу
$1.77
RFQ
1,931
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220AB Full-Pak 33W (Tc) P-Channel - 55V 14A (Tc) 105 mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 47nC @ 10V 660pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V