2 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
BUK9518-55,127
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,099
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
NXP USA Inc. MOSFET N-CH 55V 57A TO220AB TrenchMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 125W (Tc) N-Channel 55V 57A (Tc) 18 mOhm @ 25A, 5V 2V @ 1mA - 2600pF @ 25V 5V ±10V
BUK7618-55,118
За единицу
$0.57
RFQ
3,576
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 57A D2PAK TrenchMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 125W (Tc) N-Channel 55V 57A (Tc) 18 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA - 2000pF @ 25V 10V ±16V