4 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
IPP80N06S2H5AKSA1
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,771
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 OptiMOS™ Discontinued at Digi-Key Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO220-3-1 300W (Tc) N-Channel - 55V 80A (Tc) 5.5 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 230µA 155nC @ 10V 4400pF @ 25V 10V ±20V
SPP80N06S2-H5
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,854
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 OptiMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO220-3-1 300W (Tc) N-Channel - 55V 80A (Tc) 5.5 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 230µA 155nC @ 10V 5500pF @ 25V 10V ±20V
SPB80N06S2-H5
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
921
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 300W (Tc) N-Channel - 55V 80A (Tc) 5.5 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 230µA 155nC @ 10V 5500pF @ 25V 10V ±20V
IPP80N06S2H5AKSA2
За единицу
$1.49
RFQ
2,686
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 OptiMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO220-3-1 300W (Tc) N-Channel - 55V 80A (Tc) 5.5 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 230µA 155nC @ 10V 4400pF @ 25V 10V ±20V