- Производство :
- Series :
- Operating Temperature :
- Mounting Type :
- Supplier Device Package :
- Power Dissipation (Max) :
- FET Type :
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15 продукты
| ОБРАЗ | ЧАСТЬ №. | ЦЕНА | КОЛИЧЕСТВО | АКЦИИ | ПРОИЗВОДСТВО | ОПИСАНИЕ | Series | Part Status | Packaging | Technology | Operating Temperature | Mounting Type | Package / Case | Supplier Device Package | Power Dissipation (Max) | FET Type | FET Feature | Drain to Source Voltage (Vdss) | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | Vgs (Max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
1,830
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 11A DPAK | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252AA) | 38W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 11A (Tc) | 175 mOhm @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
739
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 12A (Tc) | 175 mOhm @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
3,399
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 9.5A TO-220FP | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | - | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220AB Full-Pak | 29W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 9.5A (Tc) | 175 mOhm @ 5.4A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
1,228
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB | UltraFET™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 55W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 19A (Tc) | 70 mOhm @ 19A, 10V | 4V @ 250µA | 24nC @ 20V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
2,353
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB | UltraFET™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 55W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 19A (Tc) | 70 mOhm @ 19A, 10V | 4V @ 250µA | 24nC @ 20V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
,%20SC-63.JPG)
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
1,346
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 19A DPAK | UltraFET™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 55W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 19A (Tc) | 70 mOhm @ 19A, 10V | 4V @ 250µA | 24nC @ 20V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
2,584
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 19A IPAK | UltraFET™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251AA | 55W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 19A (Tc) | 70 mOhm @ 19A, 10V | 4V @ 250µA | 24nC @ 20V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
3,288
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 19A DPAK | UltraFET™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 55W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 19A (Tc) | 70 mOhm @ 19A, 10V | 4V @ 250µA | 24nC @ 20V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
1,736
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262 | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 12A (Tc) | 175 mOhm @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
;;3.jpg)
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
2,165
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | IPAK (TO-251) | 38W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 11A (Tc) | 175 mOhm @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
1,609
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262 | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 12A (Tc) | 175 mOhm @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
|
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ |
1,595
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 12A (Tc) | 175 mOhm @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
|
2,493
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 11A DPAK | HEXFET® | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 38W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 11A (Tc) | 175 mOhm @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
|
|
|
744
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | IPAK (TO-251) | 38W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 11A (Tc) | 175 mOhm @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
|
|
3,963
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 45W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 12A (Tc) | 175 mOhm @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V |
Страница 1 / 1
