4 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
IPP80N06S2L05AKSA1
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,668
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 OptiMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO220-3-1 300W (Tc) N-Channel - 55V 80A (Tc) 4.8 mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230nC @ 10V 5700pF @ 25V 10V ±20V
IPI80N06S2L05AKSA1
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,022
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 OptiMOS™ Discontinued at Digi-Key Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA PG-TO262-3 300W (Tc) N-Channel - 55V 80A (Tc) 4.8 mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230nC @ 10V 5700pF @ 25V 10V ±20V
SPP100N06S2L-05
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,421
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 OptiMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO220-3-1 300W (Tc) N-Channel - 55V 100A (Tc) 4.7 mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230nC @ 10V 7530pF @ 25V 10V ±20V
IPI80N06S2L05AKSA2
За единицу
$1.46
RFQ
3,553
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 OptiMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA PG-TO262-3-1 300W (Tc) N-Channel - 55V 80A (Tc) 4.8 mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230nC @ 10V 5700pF @ 25V 10V ±20V