4 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
Default Photo
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,960
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Renesas Electronics America MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7 - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-7 1.8W (Ta), 250W (Tc) N-Channel - 55V 160A (Tc) 3 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 180nC @ 10V 10350pF @ 25V 10V ±20V
IRF1405ZSTRLPBF
За единицу
$2.45
RFQ
1,164
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 230W (Tc) N-Channel - 55V 75A (Tc) 4.9 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 180nC @ 10V 4780pF @ 25V 10V ±20V
AUIRF4905STRL
За единицу
$3.40
RFQ
3,956
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 170W (Tc) P-Channel - 55V 42A (Tc) 20 mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 180nC @ 10V 3500pF @ 25V 10V ±20V
IRF4905STRLPBF
За единицу
$2.29
RFQ
3,918
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 170W (Tc) P-Channel - 55V 42A (Tc) 20 mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 180nC @ 10V 3500pF @ 25V 10V ±20V