Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
3 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
IRFR024NTRLPBF
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
979
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 17A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 45W (Tc) N-Channel - 55V 17A (Tc) 75 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20nC @ 10V 370pF @ 25V 10V ±20V
IRFR024NTRPBF
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,963
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 17A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 45W (Tc) N-Channel - 55V 17A (Tc) 75 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20nC @ 10V 370pF @ 25V 10V ±20V
IRLR024NTRPBF
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,645
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 17A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 45W (Tc) N-Channel - 55V 17A (Tc) 65 mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 15nC @ 5V 480pF @ 25V 4V, 10V ±16V