Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
3 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
IRFL024ZTRPBF
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,002
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1W (Ta) N-Channel - 55V 5.1A (Ta) 57.5 mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 14nC @ 10V 340pF @ 25V 10V ±20V
AUIRLL014NTR
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,466
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223 Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1W (Ta) N-Channel - 55V 2A (Ta) 140 mOhm @ 2A, 10V 2V @ 250µA 14nC @ 10V 230pF @ 25V 4V, 10V ±16V
IRLL014NTRPBF
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,051
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1W (Ta) N-Channel - 55V 2A (Ta) 140 mOhm @ 2A, 10V 2V @ 250µA 14nC @ 10V 230pF @ 25V 4V, 10V ±16V