3 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Input Type Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Collector (Ic) (Max) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) IGBT Type Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Current - Collector Pulsed (Icm) Switching Energy Gate Charge Td (on/off) @ 25°C Test Condition
APT68GA60LD40
За единицу
$9.54
RFQ
652
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Microsemi Corporation IGBT 600V 121A 520W TO-264 POWER MOS 8™ Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA 520W TO-264 [L] 22ns 121A 600V PT 2.5V @ 15V, 40A 202A 715µJ (on), 607µJ (off) 198nC 21ns/133ns 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
APT68GA60B2D40
За единицу
$9.54
RFQ
3,059
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Microsemi Corporation IGBT 600V 121A 520W TO-247 POWER MOS 8™ Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 Variant 520W - - 121A 600V PT 2.5V @ 15V, 40A 202A 715µJ (on), 607µJ (off) 198nC 21ns/133ns 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
APT68GA60B
За единицу
$9.22
RFQ
676
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Microsemi Corporation IGBT 600V 121A 520W TO-247 POWER MOS 8™ Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 520W TO-247 [B] - 121A 600V PT 2.5V @ 15V, 40A 202A 715µJ (on), 607µJ (off) 298nC 21ns/133ns 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V