Reverse Recovery Time (trr) :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
Current - Collector Pulsed (Icm) :
2 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Input Type Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Collector (Ic) (Max) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) IGBT Type Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Current - Collector Pulsed (Icm) Switching Energy Gate Charge Td (on/off) @ 25°C Test Condition
FGA70N33BTDTU
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
3,909
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
ON Semiconductor IGBT 330V 149W TO3P - Obsolete Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 149W TO-3P 23ns - 330V Trench 1.7V @ 15V, 70A 220A - 49nC - -
SGH23N60UFDTU
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,934
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
ON Semiconductor IGBT 600V 23A 100W TO3P - Obsolete Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 100W TO-3P 60ns 23A 600V - 2.6V @ 15V, 12A 92A 115µJ (on), 135µJ (off) 49nC 17ns/60ns 300V, 12A, 23 Ohm, 15V