4 продукты
ОБРАЗ ЧАСТЬ №. ЦЕНА КОЛИЧЕСТВО АКЦИИ ПРОИЗВОДСТВО ОПИСАНИЕ Series Part Status Packaging Technology Operating Temperature Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Power Dissipation (Max) FET Type FET Feature Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max)
Default Photo
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
1,997
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Renesas Electronics America MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262 1.8W (Ta), 115W (Tc) N-Channel - 55V 80A (Tc) 6.9 mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 135nC @ 10V 6900pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
NP80N055MHE-S18-AY
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
790
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Renesas Electronics America MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220-3 1.8W (Ta), 120W (Tc) N-Channel - 55V 80A (Tc) 11 mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 60nC @ 10V 3600pF @ 25V 10V ±20V
NP80N055KLE-E1-AY
ПОЛУЧИТЬ ЦИТАТЫ
RFQ
2,106
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
Renesas Electronics America MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 1.8W (Ta), 120W (Tc) N-Channel - 55V 80A (Tc) 11 mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 75nC @ 10V 4400pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
STB80NF55L-08-1
За единицу
$3.19
RFQ
731
Сегодня корабль + бесплатная ночная доставка
STMicroelectronics MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK STripFET™ II Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA I2PAK 300W (Tc) N-Channel - 55V 80A (Tc) 8 mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 100nC @ 4.5V 4350pF @ 25V 5V, 10V ±16V